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22-14纳米集成电路器件工艺先导技术

发布日期: 2017- 12- 20 字体:[ ]

获奖项目:22-14纳米集成电路器件工艺先导技术

主要完成人:叶甜春(中国科学院微电子研究所),徐秋霞(中国科学院微电子研究所),陈大鹏(中国科学院微电子研究所),殷华湘(中国科学院微电子研究所),霍宗亮(武汉新芯集成电路制造有限公司),张卫(复旦大学)

推荐单位:北京市

获奖等级:国家技术发明奖二等奖

项目简介:

该项本项目通过产学研合作研究与集中开发,在22-14纳米集成电路先进制造技术中创新研发了高k金属栅、22纳米平面器件集成、14纳米三维FinFET等核心器件的关键工艺技术,形成了成体系的自主知识产权体系,获得发明专利授权674 件,含美国专利授权256件,被IBM、台积电、三星等国内外半导体企业引用806次,并向武汉新芯、中芯国际等国内领先IC 制造公司进行了的专利许可和转让,同时在北方微等国产IC装备企业的相关产品进行了推广应用,有力提升了集成电路高端产品的技术水平,对推动我国集成电路产业自主创新发展发挥了重要促进作用。

22nm全后栅高k金属栅MOS器件剖面

 

EOT小于0.8纳米的高k金属栅叠层HTEM

 

22纳米集成电路先导工艺测试电路和硅片

 

22纳米器件特性测试

 

22纳米工艺研究研发用硅片清洗腐蚀设备

 

 

22纳米集成电路先导工艺研发线

 

22纳米图形SEM扫描电镜检测

 

集成电路光刻

 

努力攻关

 

 

FinFET技术发明专利质量位居世界前列

 

高k金属栅 平面工艺 FinFET器件中的关键发明技术

 

关键技术推广应用国内主要企业

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